Relatore: Dott. Mario Saggio
Data: 2021-10-08

Nella presentazione verranno descritti i trend che alimentano la crescita dei dispositivi MOSFET in 4H-SiC nel mercato automobilistico e industriale.
Verranno presentate le evoluzioni tecnologiche in atto per supportare la
crescita di mercato con focus sulla qualità dei prodotti oltre a dare un cenno storico del SiC in ST nel polo tecnologico di Catania e una descrizione delle metodologie in uso, le sfide e le roadmap.