Vai al contenuto
+39) 095 59 68 211
Istituto per la Microelettronica e Microsistemi
Facebook-f
Instagram
Linkedin-in
IMM
about us
Sede Principale CT
Sedi secondarie
Agrate Brianza
Catania Univ
Lecce
Messina
Roma
SETTORI DI RICERCA
micro_nanoelettronica
Materiali e dispositivi funzionali
Fotonica
TECNOLOGIE E INFRASTRUTTURE
Tecniche di Sintesi e Deposizione di Materiali
Caratterizzazioni strutturali
Tecniche di Microscopia
Analisi Chimico/Fisiche
Tecniche di strutturazione e fabbricazione
Testing elettrici
PROGETTI
LAVORA CON NOI
PUBBLICAZIONI
PEOPLE
Menu
IMM
about us
Sede Principale CT
Sedi secondarie
Agrate Brianza
Catania Univ
Lecce
Messina
Roma
SETTORI DI RICERCA
micro_nanoelettronica
Materiali e dispositivi funzionali
Fotonica
TECNOLOGIE E INFRASTRUTTURE
Tecniche di Sintesi e Deposizione di Materiali
Caratterizzazioni strutturali
Tecniche di Microscopia
Analisi Chimico/Fisiche
Tecniche di strutturazione e fabbricazione
Testing elettrici
PROGETTI
LAVORA CON NOI
PUBBLICAZIONI
PEOPLE
NEWS
PUBBLICAZIONI
← Torna alle pubblicazioni
Estimation of Activation and Compensation Ratios in Al+ Ion Implanted 4H-SiC: Comparison of Two Methodologies
Publication date: 30 Giu 2022
Journal
Source: LEGACY
Authors:
Marica Canino
,
Roberta Nipoti
,
Fabrizio Tamarri
,
Virginia Boldrini
Publisher
Trans Tech Publications Ltd
Origin
Materials Science Forum
Legacy ID
7fcfc15abefc34966cb52f89f6e2c175
Biblio references
Volume: 1062 Pages: 241-245
Apri pubblicazione