Vai al contenuto
+39) 095 59 68 211
Istituto per la Microelettronica e Microsistemi
Facebook-f
Instagram
Linkedin-in
IMM
about us
Sede Principale CT
Sedi secondarie
Agrate Brianza
Catania Univ
Lecce
Messina
Roma
SETTORI DI RICERCA
micro_nanoelettronica
Materiali e dispositivi funzionali
Fotonica
TECNOLOGIE E INFRASTRUTTURE
Tecniche di Sintesi e Deposizione di Materiali
Caratterizzazioni strutturali
Tecniche di Microscopia
Analisi Chimico/Fisiche
Tecniche di strutturazione e fabbricazione
Testing elettrici
PROGETTI
LAVORA CON NOI
PUBBLICAZIONI
PEOPLE
Menu
IMM
about us
Sede Principale CT
Sedi secondarie
Agrate Brianza
Catania Univ
Lecce
Messina
Roma
SETTORI DI RICERCA
micro_nanoelettronica
Materiali e dispositivi funzionali
Fotonica
TECNOLOGIE E INFRASTRUTTURE
Tecniche di Sintesi e Deposizione di Materiali
Caratterizzazioni strutturali
Tecniche di Microscopia
Analisi Chimico/Fisiche
Tecniche di strutturazione e fabbricazione
Testing elettrici
PROGETTI
LAVORA CON NOI
PUBBLICAZIONI
PEOPLE
NEWS
PUBBLICAZIONI
← Torna alle pubblicazioni
The electronic structure of ε-Ga2O3
Publication date: 1 Feb 2019
Journal
Source: LEGACY
Authors:
Andrea Parisini
Publisher
AIP Publishing
Origin
APL Materials
Legacy ID
55ed4306e48ef93c2c5d2378df9ba2c4
Biblio references
Volume: 7 Issue: 2
Apri pubblicazione