Vai al contenuto
+39) 095 59 68 211
Istituto per la Microelettronica e Microsistemi
Facebook-f
Instagram
Linkedin-in
IMM
about us
Sede Principale CT
Sedi secondarie
Agrate Brianza
Catania Univ
Lecce
Messina
Roma
SETTORI DI RICERCA
micro_nanoelettronica
Materiali e dispositivi funzionali
Fotonica
TECNOLOGIE E INFRASTRUTTURE
Tecniche di Sintesi e Deposizione di Materiali
Caratterizzazioni strutturali
Tecniche di Microscopia
Analisi Chimico/Fisiche
Tecniche di strutturazione e fabbricazione
Testing elettrici
PROGETTI
LAVORA CON NOI
PUBBLICAZIONI
PEOPLE
Menu
IMM
about us
Sede Principale CT
Sedi secondarie
Agrate Brianza
Catania Univ
Lecce
Messina
Roma
SETTORI DI RICERCA
micro_nanoelettronica
Materiali e dispositivi funzionali
Fotonica
TECNOLOGIE E INFRASTRUTTURE
Tecniche di Sintesi e Deposizione di Materiali
Caratterizzazioni strutturali
Tecniche di Microscopia
Analisi Chimico/Fisiche
Tecniche di strutturazione e fabbricazione
Testing elettrici
PROGETTI
LAVORA CON NOI
PUBBLICAZIONI
PEOPLE
NEWS
PUBBLICAZIONI
← Torna alle pubblicazioni
Two-dimensional electron gas isolation mechanism in Al0. 2Ga0. 8N/GaN heterostructure by low-energy Ar, C, Fe ion implantation
Publication date: 15 Nov 2024
Journal
Source: LEGACY
Authors:
Elena Bruno
,
Giuseppe Greco
,
Fabrizio Roccaforte
Publisher
North-Holland
Origin
Applied Surface Science
Legacy ID
4dde8a63baae941b9142a416b39dcbfb
Biblio references
Volume: 674 Pages: 160885
Apri pubblicazione